발광 다이오드(LED, OLED)에 대한 외부 양자 효율(EQE) 측정

외부 양자 효율(EQE)은 광전 효과와 관련하여 주입된 전자 수에 대한 전방 시야 방향으로 방출되는 광자 수의 비율입니다. 방출된 광자가 높을수록 효율성이 높아집니다. EQE는 일반적으로 칩 내부 거울의 반사율 또는 반사 영역과 표면 거칠기 및 광결정과 같은 표면 광 추출 구조와 관련됩니다. 빛이 손실되는 세 가지 손실 채널, 내부 반사, 층 흡수, 소멸 결합 모드가 있습니다. 그런 다음 효율성에 영향을 미치는 다양한 매개 변수의 영향을 받습니다. EL의 방출각 의존성은 외부양자효율(EQE)을 측정하기 위한 요소로 평가된다.

Diagram

Description automatically generated

EQE는 에너지에 따라 달라지므로 일반적으로 효율 대 빛의 파장에 대한 그래프로 표시됩니다.

그림 1에 따르면 사용자가 각 파장 지점에서 결정하기가 더 쉽습니다. 즉, 파장 기준(100% 이하)의 EQE 범위에서 반사율을 최소화할 수 있는 최적의 지점을 찾아낼 수 있다.

Example of an EQE curve for a GaAs thin-film solar cell (Moon et al., 2016). Efforts have been made to minimize the effect of reflectivity, but it is still present, reducing the efficiency below 100%.

EQE를 측정하여 주입된 전자당 공기로 추출되는 광자 수를 측정합니다. 그로부터 우리는 태양 전지, OLED, LED... 제품을 통해 에너지, 재료와 관련된 손실을 최소화할 수 있습니다. 즉, EQE 측정을 통해 전자 제품의 절전 요소를 최적화합니다.

Tìm hiểu về hiệu ứng Compton và ứng dụng giải một số bài tập

사용:

구조 및 세포 물질 테스트 및 모듈의 재현 가능한 생산 확인
EQE 측정 전반에 걸쳐 접근 방식을 효율적으로 최적화하는 적절한 조건을 알게 됩니다.
디스플레이 응용 장치를 사용하는 관점에서 방출 메커니즘을 조사합니다.
효율성을 향상시키는 탁월한 진단 도구입니다.
구조 및 세포 물질을 테스트하고 재현 가능한 생산을 확인합니다.
외부 양자 효율은 광자가 흡수되어 전자-정공 쌍을 생성할 확률을 제공합니다.

측정:

EQE를 계산하려면 광자 1개의 에너지, 광자의 총 전력 및 전자의 전하를 알아내야 합니다.
EQE = =
EQE는 표면의 식각 손상으로 인한 비방사 재결합 억제 및 측벽의 광 추출 향상으로 인해 조정 가능
발광재료의 EQE를 측정하기 위해서는 전류와 전압의 자극, 발광효율, 색도… EQE가 높을수록 장치의 전류가 강해집니다.

이점:

EQE, CE(전류효율), LE(발광효율)의 3가지 주요 소자효율이 있을 때 서로 다르게 발광하는 OLED를 비교할 때 가장 대표적인 성능지표량이며, EQE만이 주입된 전자당 공기로 추출되는 광자수를 측정할 수 있다.
전체 및 파장 분해 외부 양자 효율은 장치 내 발광을 담당하는 기본적인 물리적 메커니즘을 이해하는 데 유용한 경향이 있습니다.
주어진 휘도에서 더 낮은 입력 전력에서 작동할 수 있는 기능은 주울 발열을 줄여 장치 수명을 늘립니다.
발광층에 주입되는 캐리어 수를 늘리고 균형을 맞추면 효율성도 각각 증가합니다.

애플리케이션:

EQE 측정은 태양전지, 광검출기(광다이오드, PD), 애벌런치 포토다이오드(APD), 전하결합소자(CCD) 센서, CMOS 이미지 센서(CIS), 발광 다이오드(LED), 유기 발광 다이오드(OLED). ELQ 시리즈는 SNR 비율과 미광이 적은 광학 EQE 측정 시스템으로 평가됩니다.